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     ![]()  高压供电新武器,英飞凌推新一代功率模组
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】  2026-07-23 11:59   免责声明: 本消息未经核实,不代表网站的立场、观点,如有侵权,请联系删除。 |
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AI 资料中心供电架构持续升级,除了800 V 高压直流(HVDC)逐渐成为新一代供电方向外,高耐压功率模组需求也快速增加。英飞凌推出搭载.XT 技术的新一代CoolSiC MOSFET EasyPACK 功率模组,瞄准AI 资料中心与高压配电市场。 随着AI 机柜功率持续提升,资料中心供电架构逐步由传统交流配电走向800 V HVDC,高压配电与电力转换技术的重要性同步提高。其中,固态变压器(SST)可处理资料中心前端的中压交流电,并转换为设备所需的直流电,降低传统多级电力转换造成的损耗,也带动高耐压功率模组需求增加。
英飞凌表示,此次推出的新一代EasyPACK 平台,维持与既有产品相同的外型尺寸及接脚配置,可直接沿用既有系统设计,但重新设计封装材料、接合技术及散热结构,大幅提升封装可靠度。新平台可将功率循环(Power Cycling)能力提升超过20 倍,以满足AI 资料中心设备长时间运作,以及15 至20 年系统使用寿命需求。 业界人士指出,由于过去碳化矽(SiC)MOSFET 具备较高功率密度与操作温度,运作过程也会对封装材料及晶片接合处形成更大的热应力。随着元件反覆开关与温度升降,模组内部的接合结构可能逐渐疲劳,因此封装可靠度已成为影响功率模组寿命的重要因素。 英飞凌此次透过.XT 技术强化材料、接合及散热设计,让模组更适合用于AI 资料中心、SST 及高压配电等需长时间连续运作的应用。 目前英飞凌已推出1200 V EasyPACK .XT 功率模组,并规划进一步推出2300 V 与3300 V 产品,锁定更高电压的SST 应用。由于AI 资料中心前端配电需处理10.8 kV 至34.5 kV 的中压交流电,并透过SST 等电力转换设备降压为800 V 直流电,采用较高耐压的功率模组,可减少系统内功率元件的串联数量,降低控制及同步开关的复杂度,也有助于提升整体可靠度与系统稳定性。 功率半导体需求有望增加。业界人士指出,AI 资料中心除了需要处理高电压,也面临高功率与大电流需求,功率模组仍须透过多颗晶片并联提供足够输出能力。因此,即使耐压提升后可减少串联元件数量,整体晶片面积及功率半导体用量未必明显下降,反而增加。 随着AI 机柜功率持续朝MW 级发展,高压供电架构已成为资料中心的重要发展方向,也带动功率模组朝更高耐压、更高可靠度及更长使用寿命演进。包括辉达、台达电及功率半导体厂商,皆积极投入下一代AI 电力架构与相关模组规格开发,未来市场竞争也将从转换效率,进一步延伸至封装可靠度、高耐压能力及长期运作稳定性。 来源:科技新报 编辑(Edit)     删除(Delete) |
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