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 SK 海力士明年DRAM 产能将扩至62 万片，直追三星
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】 2025-10-02 11:33 免责声明： 本消息未经核实，不代表网站的立场、观点，如有侵权，请联系删除。 |
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SK 海力士计划在明年下半年将DRAM 月产能提升至逾60 万片，业界推估年底可望达约62 万片，直逼三星60 多万片的水准。此举主要受辉达、Google 等对高频宽记忆体（HBM）的强劲需求，显示DRAM 市场正迎来新一轮竞争。 
根据韩媒报导，SK 海力士位于清州的新厂「M15X」将于2026 年上半年启用，初期月投片量约1 万片，并在2026 年第四季逐步拉升至5 万片。以2023 年每月30 多万片为基准，三年间产能几乎翻倍。 值得注意的是，目前约有三成DRAM 产能投入HBM 生产，随着堆叠层数持续增加，HBM 对产能的消耗效应将更加显著。业界预估，到2027 年，SK 海力士可能有多达四成DRAM 产能专用于HBM，进一步推升DRAM 价格。 三星电子同样加快脚步，扩产重心放在平泽P4 厂，并已下大规模设备订单。随着HBM4 开发推进及DRAM 价格回升，市场预期三星有望成为辉达HBM4 的第二供应商。 至于NAND，SK 海力士明年将维持谨慎策略，以制程转换为主，整体投片量预计较今年减少。虽然企业级SSD（eSSD）需求逐步回温，但行动应用尚未明显复苏，加上日本铠侠（Kioxia）等竞争者计划扩产，市场价格反弹的力道仍不稳定。 业界人士指出，目前NAND 毛利率远低于DRAM，在厂房资源有限的情况下，厂商自然会优先投入DRAM。不过，他也补充，若未来有新应用带动高阶NAND 需求，NAND 投资策略仍可能出现调整。 随着AI加速对HBM的需求不断扩大，DRAM投资正快速拉升。而NAND虽短期趋于保守，但市场亦关注是否会因新兴技术带动而迎来转机。特别是被称为「第二个HBM 」的高频宽快闪记忆体（ High Bandwidth Flash ，HBF ），有望与HBM并列成为AI加速器的核心配置，补足容量并兼顾成本效益。 编辑(Edit) 删除(Delete) |
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