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 宣称2 奈米制程技术良率突破，三星再提超越台积电目标
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】 2025-10-22 10:48 免责声明： 本消息未经核实，不代表网站的立场、观点，如有侵权，请联系删除。 |
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韩国三星近日在先进半导体技术领域方面展现出强劲的信心，该公司高层对其2 奈米GAA（Gate-All-Around）制程的发展进度表达高度乐观。竞争对手SK 海力士（SK hynix）企业总裁Song Hyun-jong 也强调，这项制造技术将成为一个「关键的转捩点」。目前，2 奈米GAA 制程技术的晶圆量产已于9 月下旬启动，首款采用此技术的晶片为即将问世的三星自研SoC-Exynos 2600。 
根据朝鲜日报报导，在总统办公室政策首席Kim Yong-beom 主持的一场关于半导体产业议题的会议中，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk 对2 奈米GAA 制程给予极多正面的评价。相较于前几年，三星晶圆代工业务表现不佳，使台积电攻占了市场大部分比率情况，目前看来三星终于有所转变。报告指出，三星已将其2 奈米GAA 的良率目标，从原订的50% 大幅提高至70%，并且预计在2025 年底达成。 报导引用一位接近知情的人士说法表示，这些在高层会议上发表的言论可以被解读为：三星正顺利实现其规划的2 奈米制程良率和晶片性能目标。 Song Jae-hyuk 在会议中暗示了其雄心壮志，希望藉由2 奈米GAA 节点的成功，最终能在全球晶圆代工市场上夺取第一名。不过，他也坦言，在追赶台积电以及应对特定技术与人力资源等挑战时，公司需要政府提供庞大的支持。 
另外，三星表示，为确保其在下一代节点中的竞争力，已付出了必要的努力。包括，三星已经完成了第二代2 奈米GAA 制程的基本设计。同时，代号为SF2P+ 的第三代2 奈米GAA 制程，也预计在未来两年内完成开发。 至于，三星首款采用2 奈米GAA 技术的晶片将是三星自研的SoC-Exynos 2600。初步的内部测试结果显示，Exynos 2600 的性能表现非凡。它在多项测试中轻松击败了竞争对手苹果的A19 Pro，以及高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5。更值得注意的是，测试数据揭示其AI 性能比A19 Pro 和Snapdragon 8 Elite Gen 5 高出六倍。不过，虽然商业化产品的实际结果可能有所不同，但业界普遍期望三星的2 奈米GAA 技术能够带来实质性的效益。 编辑(Edit) 删除(Delete) |
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