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 联电推出全新55奈米BCD平台，提供终端应用更高电源效率与系
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】 2025-10-22 10:54 免责声明： 本消息未经核实，不代表网站的立场、观点，如有侵权，请联系删除。 |
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联电推出全新55 奈米BCD 平台，提供终端应用更高电源效率与系统整合 晶圆代工大厂联电今宣布，推出全新的55 奈米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 平台，为下世代行动装置、消费性电子、车用与工业应用实现更高的电源效率与系统整合。 
联电表示，此平台针对电子产品日益复杂的电源管理需求而设计，实现更小的晶片面积、更低的功耗与卓越的抗杂讯表现，赋予电源电路设计更高的灵活度与可靠性。 联电指出，BCD技术能在单一晶片上整合类比、数位与电力元件，广泛应用于电源管理与混合讯号IC。联电全新的55奈米BCD平台提供多元化电源IC应用的解决方案，以满足不同应用领域对效能与可靠度的需求，包括： 非磊晶(Non-EPI)制程：具备独特元件架构的高性价比方案，为行动及消费性装置提供优异的电源效率与性能。 磊晶(EPI)制程：符合最严格的车规AEC-Q100 Grade 0标准，支援高达150V操作电压，提升在极端环境下车用电子的可靠性。 绝缘层上覆矽(SOI)制程：符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，具备卓越的抗杂讯特性、高速运作与超低漏电性能，非常适合高阶车用与工业使用。 平台同时整合了超厚金属层(UTM)、嵌入式快闪记忆体(eFlash)与电阻式随机存取记忆体(RRAM)等技术，进一步提升晶片效能与系统整合弹性。 
▲ 联电55奈米BCD平台的多元应用。 联电技术研发副总经理徐世杰表示，55奈米BCD平台的推出，象征联电在BCD技术布局上的重要里程碑，更进一步完善我们的特殊制程产品组合，强化在电源管理市场的竞争优势。虽然55奈米BCD制程已在市场上量产多年，联电推出全新且全面的55奈米BCD解决方案，具备卓越的元件特性，协助客户打造创新电源解决方案，应用范围涵盖智慧型手机、穿戴式装置、车用、智慧家庭与智慧工厂等领域。 联电已建构业界最完整且成熟的BCD技术组合，制程节点横跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差异化的解决方案，凭借着能提供广泛的电压需求、丰富的IP资源与完善的设计支援，加速客户产品开发时程，强化在智慧电源与混合讯号市场的竞争力，持续与客户共同实现长期双赢成长。 (首图来源：联电提供) 编辑(Edit) 删除(Delete) |
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