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 imec 携手台积电和ASML，推进2D 材料电晶体开发
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】 2026-06-16 12:21 免责声明： 本消息未经核实，不代表网站的立场、观点，如有侵权，请联系删除。 |
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比利时微电子研究中心（imec）16 日宣布，与台积电和艾司摩尔（ASML）在IEEE JSAP 超大规模积体电路（VLSI）技术与电路研讨会，发表一套创新、稳健且可扩充性的12 吋晶圆整合技术路径，可用于2D 材料的n 型与p 型场效电晶体（FET）。 
imec发布新闻稿指出，这是首次展示搭配50奈米闸极间距的微型化nFET（采用二硫化钼做为通道材料）与pFET（二硫化钨或二硒化钨），并且取得良好的电流电压特性。象征着2D材料电晶体从实验室迈向晶圆厂的关键进展，预期用于超高度微缩化的逻辑元件，以及后段制程和晶背应用。 
（Source：imec） 台积电技术研究副总经理暨技术长曹敏表示，研究合作为推进半导体创新发展提供重要动力，聚焦为「从实验室迈向晶圆厂」的技术转变降低风险和加速进展，确保开创性发现，特别是创新的通道材料，能够快速有效地整合到先进制造，最终提供顶尖的解决方案。 ASML指出，2D过渡金属二硫族化物（TMD）材料可望超越矽材，实现更小尺寸、更高性能的电晶体，不过目前采用12吋晶圆制程所展示的2D材料通道元件其实尺寸较大，也采用较旧的微影技术。 ASML表示，透过极紫外光（EUV）微影技术提供的更高解析度，成功制出通道长度短至28奈米的TMD电晶体，间距也与最先进的电晶体节点相容。 来源：中央社 编辑(Edit) 删除(Delete) |
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