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     量子电脑量产障碍突破,低温溅镀技术形成高导电率薄膜

量子电脑量产障碍突破,低温溅镀技术形成高导电率薄膜

【卡城华人网 www.calgarychina.ca】  2026-08-20 10:49
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【卡城华人网】量子电脑量产障碍突破,低温溅镀技术形成高导电率薄膜

要让量子电脑真正走出实验室进入商业化量产,厂商需掌握2 样技术:高品质超导材料,以及一套可靠运作的奈米制程。钽(tantalum)这种抗腐蚀金属虽然满足前者,却在后者卡关,其沉积温度对当前半导体设备来说太高。

现在康乃尔大学团队找到以氪气取代氩气将钽沉积在矽基板的溅镀方法,能将钽沉积温度从超过400℃ 大幅降至200℃,并直接在矽基板上形成具更高电子传导性的高品质薄膜。



量子电脑核心组件为储存处理大量资讯的量子位元,仰赖超导体近乎零能量损耗的特殊量子力学特性运作,而高效能材料与奈米制程正确结合一直是拖慢这项技术商业化进程主要瓶颈之一。

过渡金属钽是许多超导元件主要材料,具有稳定表面性质和高耐腐蚀性,但钽并非完美无缺,若在较低温度环境沉积,钽的性质表现不佳,只能将沉积温度提高至400℃ 以上,或在表面添加其他材料改变其性能以解决问题。然而钽的沉积温度过高会与矽基板混合形成另一厚层,导致资讯遗失并降低晶片性能。

对此康乃尔大学团队提出新解套:使用氪气作为电离气体而不是氩气,可传递更多动量将钽原子踢出沉积到基板上形成更高导电率的薄膜,且最高温度降低到200℃,现有设备及生产线。

该制程最后关键一步为加上「约瑟夫森接面」——两层金属之间夹一层电绝缘层,让电子能发生量子穿隧效应,进而产生量子位元。

新技术不仅大幅提升材料传导性,取得领先全球的量子位元品质,更最大限度加速量子电脑走向商业化的进程。

新论文发表在《自然材料》(Nature Materials)期刊。

来源:科技新报

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