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 三星确认HBM4E速度冲上16Gbps单叠频宽高达4TB/s
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【卡城华人网 www.calgarychina.ca】 2026-08-24 10:35 免责声明： 本消息未经核实，不代表网站的立场、观点，如有侵权，请联系删除。 |
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在近日举行的Hot Chips 2026 大会前瞻计画中，韩国三星代表证实，公司正积极准备出货最新一代高频宽记忆体HBM4E，其单一针脚传输速度将一举提升至16 Gbps。这项技术进展对于三星半导体部门无疑是一剂强心针，也证明其微缩与量产进程发展顺利。 
三星自2026年5 月底起已开始出货14 Gbps 的HBM4E，而先前HBM4 的出货速度则为11.7 Gbps，此次跃升再次展现其技术突破。 在频宽表现上，现行14 Gbps 针脚速度在每层堆叠2,048 根针脚的架构下，能提供最高3.6 TB/s 的频宽。一旦速度提升至16 Gbps，单一HBM4E 堆叠的最大记忆体频宽将暴增至4 TB/s。若以单一AI 加速器或GPU 晶片通常配备约十多个记忆体堆叠计算，系统所能释放的记忆体总频宽将极为惊人。 
在容量与堆叠高度方面，三星目前已开始提供12 层堆叠版本，单一堆叠容量达48 GB。为了满足不同客户的多样化需求，三星未来也规划推出8 层堆叠（32 GB） 与16 层堆叠（64 GB） 的规格。 在制造技术层面，这款HBM4E 记忆体采用了专为DRAM 优化设计的第6 代10 奈米级制程进行多层堆叠。更值得关注的是，三星HBM4E 特别引进了自家的4 奈米SF4 制程节点来生产客制化的基础晶片。此设计旨在强化与各类封装技术的整合能力，提供更优异的封装适应力与效能，以完美契合客户在复杂晶片堆叠架构中的各式需求。 随着AI 晶片效能竞争白热化，三星HBM4E 以极速传输与高度客制化设计，无疑将在高效能运算市场中扮演关键角色。 来源：科技新报 编辑(Edit) 删除(Delete) |
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